功率MOSFET 32安培， 60伏 Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts
N-Channel 60V 32A Ta 1.5W Ta, 93.75W Tj Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
贸泽:
MOSFET 60V 32A N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 32.0 A
通道数 1
漏源极电阻 23.7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 93.75 W
输入电容 1.72 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 221 ns
输入电容Ciss 1700pF @25VVds
下降时间 128 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTD32N06LG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTD32N06L 安森美 | 类似代替 | NTD32N06LG和NTD32N06L的区别 |
NTD32N06LT4G 安森美 | 类似代替 | NTD32N06LG和NTD32N06LT4G的区别 |
NTD32N06LT4 安森美 | 功能相似 | NTD32N06LG和NTD32N06LT4的区别 |