















ON SEMICONDUCTOR NTD18N06LT4G MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新
N 通道功率 MOSFET,60V,
### MOSFET ,ON Semiconductor
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD18N06LT4G, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
得捷:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
立创商城:
NTD18N06LT4G
贸泽:
MOSFET 60V 18A N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
NTD18N06LT4G N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 60 V, 3-Pin DPAK
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 60 V 54 mOhm 55 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NTD18N06LT4G MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V
力源芯城:
18A,60V功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 18.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.054 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 55 W
阈值电压 1.8 V
输入电容 482pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 79 ns
输入电容Ciss 675pF @25VVds
额定功率Max 55 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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