
















ON SEMICONDUCTOR NTD20P06LT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK
P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,
得捷:
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTD20P06LT4G, 15.5 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
NTD20P06LT4G
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR NTD20P06LT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
NTD20P06LT4G P-channel MOSFET Transistor; 15.5 A; 60 V; 3-Pin DPAK
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NTD20P06LT4G MOSFET Transistor, P Channel, 15.5 A, -60 V, 0.143 ohm, -5 V, -1.5 V
力源芯城:
-60V,-15.5A功率MOSFET
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
DeviceMart:
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -15.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.143 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 65 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 15.5 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 1190pF @25VVds
额定功率Max 65 W
下降时间 70 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 65000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTD20P06LT4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTD20P06LG 安森美 | 类似代替 | NTD20P06LT4G和NTD20P06LG的区别 |
NTD20P06L-1G 安森美 | 类似代替 | NTD20P06LT4G和NTD20P06L-1G的区别 |
NTD20P06LT4 安森美 | 类似代替 | NTD20P06LT4G和NTD20P06LT4的区别 |