IRF530NPBF

IRF530NPBF图片1
IRF530NPBF图片2
IRF530NPBF图片3
IRF530NPBF图片4
IRF530NPBF图片5
IRF530NPBF图片6
IRF530NPBF图片7
IRF530NPBF图片8
IRF530NPBF图片9
IRF530NPBF图片10
IRF530NPBF图片11
IRF530NPBF图片12
IRF530NPBF图片13
IRF530NPBF图片14
IRF530NPBF图片15
IRF530NPBF图片16
IRF530NPBF图片17
IRF530NPBF图片18
IRF530NPBF图片19
IRF530NPBF图片20
IRF530NPBF图片21
IRF530NPBF图片22
IRF530NPBF图片23
IRF530NPBF图片24
IRF530NPBF概述

N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET 100V,

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRF530NPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 79 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 N-CH

耗散功率 63 W

阈值电压 4 V

输入电容 920 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 920pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 4.69 mm

高度 8.77 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, Consumer Full-Bridge, Full-Bridge, Push-Pull, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF530NPBF
型号: IRF530NPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRF530NPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRF530NPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IRF540NPBF

英飞凌

类似代替

IRF530NPBF和IRF540NPBF的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台