NXP PBHV8140Z,115 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 25 MHz, 730 mW, 1 A, 155 hFE
The is a 1A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.
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- High voltage
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- AEC-Q101 qualified
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- PNP complement is PBHV9540Z
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- V8140Z Marking code
频率 25 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 730 mW
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 35 @500mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 155
额定功率Max 1.45 W
直流电流增益hFE 155
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1450 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial, Lighting, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBHV8140Z,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BZX79-C62 恩智浦 | 功能相似 | PBHV8140Z,115和BZX79-C62的区别 |
PBHV8140Z 恩智浦 | 功能相似 | PBHV8140Z,115和PBHV8140Z的区别 |