2SD1782K

2SD1782K NPN三极管 80V 500mA/0.5A 180MHz 120~270 200mV/0.2V SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 AJQ

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 180MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications |
Features

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Low VCEsat. VCEsat = 0.2V Typ. IC / IB = 0.5A / 50mA * High VCEO, VCEO = 80V Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用 | 特点 *低VCE（sat）的。 VCE（饱和）=0.2V （IC / IB= 0.5A/50MA） *高VCEO VCEO=80V 结构 外延平面型 NPN硅