ON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV
P 通道功率 MOSFET，8V，
### MOSFET ，ON Semiconductor
得捷:
MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTS2101PT1G, 1.5 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装
立创商城:
NTS2101PT1G
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
富昌:
P-沟道 8 V 65 mOhm 0.29 W 表面贴装 Power MOSFET - SOT-323
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G MOSFET Transistor, P Channel, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV
力源芯城:
-8V,-1.4A,双功率MOSFET
Win Source:
MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
额定电压DC -8.00 V
额定电流 -1.40 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 290 mW
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 8 V
漏源击穿电压 8 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 1.40 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 640pF @8VVds
额定功率Max 290 mW
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 290mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, Portable Devices, 工业, 便携式器材, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTS2101PT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BSH202 恩智浦 | 功能相似 | NTS2101PT1G和BSH202的区别 |
NTS2101PT1 安森美 | 功能相似 | NTS2101PT1G和NTS2101PT1的区别 |