UPA836TF-T1-A

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UPA836TF-T1-A概述

UPA836TF-T1-A NPN+NPN复合三极管 9V 30mA/100mA 75~150/100~145 SOT-363/SC-88 标记V47 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | Q1/Q2=9V/9V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | Q1/Q2=6V/6V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | Q1/Q2=30MA/100MA 截止频率fT Transtion FrequencyfT | Q1/Q2=12GHZ/9GHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | Q1/Q2=75~150/100~145 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | Q1/Q2= 耗散功率Pc Power Dissipation | 200MW 描述与应用 Description & Applications |   NPN型硅外延双晶体管   低噪声:   Q1:NF = 1.5 dB TYP f = 2 GHz,VCE = 3 V,lc = 3   Q2:NF = 1.7 dB TYP f = 2 GHz,VCE = 1 V,lc = 3   高收益:   Q1:| S21E |   2 = 8.5 dB TYP f = 2 GHz,VCE V = 3,   lc = 10马   Q2:| S21E |   2 = 3.5 dB TYP f = 2 GHz,VCE V = 1,   马lc = 3   六脚薄型小微型模具方案   2不同的内置的晶体管   Q1:NE685,Q2 NE688: 技术文档PDF下载 | 在线阅读

UPA836TF-T1-A中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO Q1/Q2=9V/9V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO Q1/Q2=6V/6V

集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC Q1/Q2=30MA/100MA

截止频率fT Transtion FrequencyfT Q1/Q2=12GHZ/9GHZ

直流电流增益hFE DC Current GainhFE Q1/Q2=75~150/100~145

管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage Q1/Q2=

耗散功率Pc Power Dissipation 200MW

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符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买UPA836TF-T1-A
型号: UPA836TF-T1-A
制造商: NEC 日本电气
描述:UPA836TF-T1-A NPN+NPN复合三极管 9V 30mA/100mA 75~150/100~145 SOT-363/SC-88 标记V47 用于开关/数字电路

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