UPA841TC NPN+NPN复合三极管 9V 30mA/100mA 75~150/100~160 SOT-563 标记2A 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | Q1/Q2=9V/9V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | Q1/Q2=6V/5.5V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | Q1/Q2=30MA/100MA 截止频率fT Transtion FrequencyfT | Q1/Q2=12GHZ/6.5GHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | Q1/Q2=70~150/100~160 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | Q1/Q2= 耗散功率Pc Power Dissipation | 230MW 描述与应用 Description & Applications | 硅NPN型射频晶体管 两种不同的内置晶体管2 sc5435 2 sc5600 技术文档PDF下载 | 在线阅读
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-563
封装 SOT-563
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO Q1/Q2=9V/9V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO Q1/Q2=6V/5.5V
集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC Q1/Q2=30MA/100MA
截止频率fT Transtion FrequencyfT Q1/Q2=12GHZ/6.5GHZ
直流电流增益hFE DC Current GainhFE Q1/Q2=70~150/100~160
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Q1/Q2=
耗散功率Pc Power Dissipation 230MW
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