ROHM QS6M3TR 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 20 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 1.5 V
双路，N 通道和 P 通道 MOSFET，ROHM
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得捷:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
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QS6M3TR
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ROHM QS6M3 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET QS6M3TR, 1.5 A, Vds=20 V，30 V, 6引脚 TSMT封装
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双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 20 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 1.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
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Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
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Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
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Dual MOSFET, N and P Channel, 1.5 A, 20 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 1.5 V
DeviceMart:
MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
额定电流 1.50 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30V, 20V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 12.0 ns
输入电容Ciss 80pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 TSOT-23-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, 便携式器材, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
