NSBA114YDXV6T1G

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NSBA114YDXV6T1G概述

NSB 系列 50 V 100 mA 47 kOhm PNP 双 偏置电阻晶体管 - SOT-563

Are you looking to build a digital signal processing device? The PNP digital transistor, developed by , can provide a solution. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@5mA@10 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. It is made in a dual configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

NSBA114YDXV6T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-563-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NSBA114YDXV6T1G
型号: NSBA114YDXV6T1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:NSB 系列 50 V 100 mA 47 kOhm PNP 双 偏置电阻晶体管 - SOT-563
替代型号NSBA114YDXV6T1G
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