BS170

小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

得捷:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BS170, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装

立创商城:
BS170

贸泽:
MOSFET 60V 500mA N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag

力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管