小信号MOSFET -20 V， -760毫安，单P沟道，门齐， SC- 75 ， SC- 89 Small Signal MOSFET −20 V, −760 mA, Single P−Channel, Gate Zener, SC−75, SC−89
P-Channel 20 V 760mA Tj 301mW Tj Surface Mount SC-75, SOT-416
得捷:
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
贸泽:
MOSFET -20V -760mA PChannel
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -760 mA
通道数 1
漏源极电阻 490 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 301 mW
输入电容 156 pF
栅电荷 2.10 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±6.00 V
连续漏极电流Ids 760 mA
上升时间 8.2 ns
输入电容Ciss 156pF @5VVds
额定功率Max 301 mW
下降时间 8.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 301 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SC-75-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-75-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTA4151PT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTA4151PT1G 安森美 | 类似代替 | NTA4151PT1和NTA4151PT1G的区别 |