NTA4151P

NTA4151P中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 260 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 0.301 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.76A

封装参数

封装 SC-75-3

外形尺寸

封装 SC-75-3

其他

最小包装 3000

数据手册

在线购买NTA4151P
型号: NTA4151P
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:小信号MOSFET -20 V, -760毫安,单P沟道,门齐, SC- 75 , SC- 89 Small Signal MOSFET −20 V, −760 mA, Single P−Channel, Gate Zener, SC−75, SC−89

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