NTA4151P
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NTA4151P
NTA4151P中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻
260 mΩ
极性
P-CH
耗散功率
0.301 W
阈值电压
1.2 V
漏源极电压Vds
20 V
连续漏极电流Ids
0.76A
封装参数
封装
SC-75-3
外形尺寸
封装
SC-75-3
其他
最小包装
3000
数据手册
在线购买NTA4151P
型号:
NTA4151P
制造商:
ON Semiconductor 安森美
描述:
小信号MOSFET -20 V, -760毫安,单P沟道,门齐, SC- 75 , SC- 89 Small Signal MOSFET −20 V, −760 mA, Single P−Channel, Gate Zener, SC−75, SC−89
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