INFINEON IRF5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V，
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 110 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.06 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
输入电容 1200 pF
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 31A
上升时间 66 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 63 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.54 mm
宽度 4.69 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial, 电源管理, 便携式器材, Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Elec, Consumer Electronics, Power Management, 消费电子产品, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF5305PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
MTP23P06VG 安森美 | 功能相似 | IRF5305PBF和MTP23P06VG的区别 |
2SJ652 三洋 | 功能相似 | IRF5305PBF和2SJ652的区别 |
IRF5305 英飞凌 | 功能相似 | IRF5305PBF和IRF5305的区别 |