MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
MOSFET 和 IGBT 驱动器,低侧,
Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用低侧配置。
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得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2.3A 拉:3.3A
欧时:
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贸泽:
门驱动器 Dual Lw Sd Drvr
e络盟:
双MOSFET驱动器, 低压侧, 6 V至20 V电源, 1.5 A输出, 65 ns开/关, SOIC-8
艾睿:
Driver 3.3A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
MOSFET DRVR 3.3A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
Chip1Stop:
Driver 3.3A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
TME:
Driver; low-side switch, gate driver; -1.5÷1.5A; 625mW; SO8
Verical:
Driver 3.3A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
儒卓力:
**Dual Low Side Driver SO-8 **
Win Source:
IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8SOIC
上升/下降时间 15ns, 10ns
输出接口数 2
输出电压 6.20 V
输出电流 2.3 A
通道数 2
针脚数 8
耗散功率 625 mW
上升时间 35 ns
下降时间 25 ns
下降时间Max 25 ns
上升时间Max 35 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 6V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 6 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.98 mm
宽度 3.99 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IR4427STRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IR4427STR 英飞凌 | 完全替代 | IR4427STRPBF和IR4427STR的区别 |
IR4427SPBF 英飞凌 | 类似代替 | IR4427STRPBF和IR4427SPBF的区别 |