2SA1162-GR

2SA1162-GR PNP三极管 -50V -150mA/-0.15A 80MHz 70~400 -100mV/-0.1V SOT-23/SC-59 marking/标记 SG 音频放大器

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −150mA/-0.15A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 70~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -100mV/-0.1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT process • High voltage and high current: VCEO = −50 V, IC = −150 mA max • Excellent hFE linearity: hFE IC = −0.1 mA/hFE IC = −2 mA = 0.95 typ. • High hFE: hFE = 70~400 • Low noise: NF = 1dB typ., 10dB max • Complementary to 2SC2712 • Small package APPLICATIONS • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 描述与应用| 音频通用放大器应用 特点 •TOSHIBA的硅PNP外延式（PCT的进程） •高电压和高电流：VCEO=-50 V，IC= -150 mA（最大） •优秀HFE线性：HFE（IC= -0.1毫安）/ HFE（IC=-2毫安）=0.95（典型值） •高HFE：HFE=70〜400 •低噪音：NF=1分贝（典型值），10分贝（最大） •互补2SC2712 •小型封装 应用 •音频通用放大器应用