Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
N 通道 MOSFET,60V 至 80V,
得捷:
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
欧时:
Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
立创商城:
N沟道 60V 300mA
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
针脚数 3
漏源极电阻 2.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.83 W
阈值电压 2 V
输入电容 31 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 300 mA
正向电压Max 1.2 V
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N7002,215 Nexperia 安世 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS123,215 安世 | 类似代替 | 2N7002,215和BSS123,215的区别 |
BST82,235 安世 | 类似代替 | 2N7002,215和BST82,235的区别 |
2N7002ET1G 安森美 | 功能相似 | 2N7002,215和2N7002ET1G的区别 |