N 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流Id Drain Current| 915mA/0.915A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.23Ω/Ohm @600mA,4.5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.45-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75 and SC−89 Load/Power Switches • Power Supply Converter Circuits • Battery Management • Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc. Features • Low RDSon Improving System Efficiency • Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated • ESD Protected Gate • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 小信号MOSFET 20 V,915 mA时,单N沟道 具有ESD保护,SC-75和SC-89 负载/功率开关 •电源转换器电路 •电池管理 •便携设备,如手机,掌上电脑,数码相机,寻呼机等 •低的RDS(on) 提高系统效率 •低阈值电压,1.5 V额定 •ESD保护门 •无铅包可用
额定电压DC 20.0 V
额定电流 915 mA
针脚数 3
漏源极电阻 0.127 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 mW
阈值电压 760 mV
输入电容 110 pF
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 26 V
栅源击穿电压 ±6.00 V
连续漏极电流Ids 915 mA
上升时间 4.4 ns
输入电容Ciss 110pF @16VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 7.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
长度 1.65 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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NTA4153NT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTE4153NT1G 安森美 | 类似代替 | NTA4153NT1G和NTE4153NT1G的区别 |
NTA4153NT1 安森美 | 类似代替 | NTA4153NT1G和NTA4153NT1的区别 |
NTK3134NT1G 安森美 | 功能相似 | NTA4153NT1G和NTK3134NT1G的区别 |