FDN306P

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN306P, 2.6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN306P, 2.6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装

得捷:
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3

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FDN306P

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SuperSOT T/R

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Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -2.6 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -600 mV