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STH60N10FI中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 36A

封装参数

封装 ISOWATT-218

外形尺寸

封装 ISOWATT-218

其他

产品生命周期 Unknown

数据手册

在线购买STH60N10FI

型号： STH60N10FI

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR