FGA40T65SHDF

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FGA40T65SHDF概述

沟槽场截止 268W 650V 80A

Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3 generation IGBTs offer superior conduction and switching performance and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating and MWO.

Features

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Maximum Junction Temperature : TJ = 175°C
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Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
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High Current Capability
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Low Saturation Voltage: VCEsat = 1.45 V Typ. @ IC = 40 A
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100% of the Parts tested for ILM1
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High Input Impedance
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Fast Switching
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Tighten Parameter Distribution
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RoHS Compliant
FGA40T65SHDF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 268000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 101 ns

额定功率Max 268 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 268000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FGA40T65SHDF
型号: FGA40T65SHDF
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:沟槽场截止 268W 650V 80A

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