FGA6540WDF

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FGA6540WDF概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Tube

Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3 generation IGBTs offer the optimum performance for welder application where low conduction and switching losses are essential.

Features

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Maximum Junction Temperature : TJ =175°C
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Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operating
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High Current Capability
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Low Saturation Voltage: VCEsat =1.8 VTyp. @ IC = 40 A
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100% of the Parts Tested for ILM1
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High Input Impedance
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Fast Switching
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Tighten Parameter Distribution
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RoHS Compliant
FGA6540WDF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 238000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 101 ns

额定功率Max 238 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 238000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FGA6540WDF
型号: FGA6540WDF
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Tube

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