2SC4702XV NPN三极管 300V 50mA 80MHz 60~150
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 300V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 50mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 60~150 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| <500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features •Silicon NPN Epitaxial •High breakdown voltage VCEO = 300 V •Small Cob Cob = 1.5 pF Typ. 描述与应用| 特点 •NPN硅外延 •高击穿电压VCEO=300 V •小COB COB=1.5 pF的典型
封装 SOT-23
封装 SOT-23
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO 300V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO 300V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC 50mA
截止频率fTTranstion FrequencyfT 80MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE 60~150
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage <500mV/0.5V
耗散功率PcPower Dissipation 150mW/0.15W
规格书PDF __
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
2SC4702XV HITACHI 日立 | 当前型号 | 当前型号 |
2SC4702XV-TR-E 瑞萨电子 | 功能相似 | 2SC4702XV和2SC4702XV-TR-E的区别 |