TN0200K-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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TN0200K-T1-E3概述

TRANS MOSFET N-CH 20V 0.73A 3Pin TO-236 T/R

表面贴装型 N 通道 20 V 730mA（Ta） SOT-23-3（TO-236）

得捷:
MOSFET N-CH 20V SOT23-3

TN0200K-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 0.35 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 730 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TN0200K-T1-E3

型号： TN0200K-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：TRANS MOSFET N-CH 20V 0.73A 3Pin TO-236 T/R