MMBT5401系列 150 V CE击穿 0.6 A PNP 通用 放大器 - SOT-23
小信号 PNP ，60 至 160V，Fairchild Semiconductor
得捷:
TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
欧时:
ON Semiconductor MMBT5401 , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=150 V, HFE:50, 300 MHz, 3引脚 SOT-23封装
艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -150 V, 300 MHz, 350 mW, -600 mA, 50 hFE
针脚数 3
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
最小电流放大倍数hFE 50
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 240
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.96 mm
封装 SOT-23
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT5401 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT5401LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBT5401和MMBT5401LT1G的区别 |
MMBT5401-7-F 美台 | 功能相似 | MMBT5401和MMBT5401-7-F的区别 |
MMBT5401-TP 美微科 | 功能相似 | MMBT5401和MMBT5401-TP的区别 |