1EDN8511BXTSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

1EDN8511BXTSA1概述

Non-Isolated Gate Driver IC

半桥，低压侧栅极驱动器 IC 反相，非反相 PG-SOT23-6-2

得捷:
IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6

艾睿:
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R

1EDN8511BXTSA1中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 6.5ns, 4.5ns

输出接口数 2

下降时间Max 4.5 ns

上升时间Max 6.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： 1EDN8511BXTSA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Non-Isolated Gate Driver IC