2ED21844S06JXUMA1

2ED21844S06JXUMA1概述

半桥 IGBT MOSFET 灌:2.5A 拉:2.5A

IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V


欧时:
Infineon 2ED21844S06JXUMA1


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:2.5A 拉:2.5A


Win Source:
IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V / Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting PG-DSO-14-49


2ED21844S06JXUMA1中文资料参数规格
封装参数

封装 PG-DSO-14

外形尺寸

封装 PG-DSO-14

符合标准

RoHS标准 Compliant

数据手册

在线购买2ED21844S06JXUMA1
型号: 2ED21844S06JXUMA1
制造商: Infineon 英飞凌
描述:半桥 IGBT MOSFET 灌:2.5A 拉:2.5A

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