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2ED21084S06JXUMA1概述

半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:700mA

IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V

得捷:
IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V

立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:700mA

Win Source:
IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V / Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting PG-DSO-14-49

2ED21084S06JXUMA1中文资料参数规格

封装参数

封装 PG-DSO-14-49

外形尺寸

封装 PG-DSO-14-49

其他

上升/下降时间典型值 100ns,35ns

输入类型非反相

电压-供电 10V ~ 20V

通道类型同步

逻辑电压 -VIL,VIH 1.1V,1.7V

高压侧电压-最大值自举 650V

工作温度 -40°C ~ 125°CTA

封装/外壳 14-SOIC0.154"",3.90mm 宽

电流-峰值输出灌入,拉出 CB,cCSAus,CE,CQC,TUV

栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET

驱动配置半桥

驱动器数 1

符合标准

RoHS标准 Compliant

数据手册

在线购买2ED21084S06JXUMA1

型号： 2ED21084S06JXUMA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:700mA