2SD315AI-33

2SD315AI-33图片1
2SD315AI-33概述

半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A

半桥 栅极驱动器 IC - 模块


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A


2SD315AI-33中文资料参数规格
技术参数

电源电压 15 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买2SD315AI-33
型号: 2SD315AI-33
制造商: Power Integrations 帕沃英蒂格盛
描述:半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A
替代型号2SD315AI-33
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD315AI-33

Power Integrations 帕沃英蒂格盛

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