半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A
半桥 栅极驱动器 IC - 模块
得捷: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
立创商城: 半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A
电源电压 15 V
安装方式 Through Hole
封装 Module
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
RoHS标准
含铅标准 无铅
数据手册
2SD315AI-33
Power Integrations 帕沃英蒂格盛
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