2SD315AI UL参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

2SD315AI UL图片1

2SD315AI UL概述

半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A

半桥栅极驱动器 IC - 模块

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE

立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A

2SD315AI UL中文资料参数规格

技术参数

电源电压 15 V

封装参数

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买2SD315AI UL

型号： 2SD315AI UL

制造商： Power Integrations 帕沃英蒂格盛

描述：半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A