低边 IGBT MOSFET
Low-Side Gate Driver IC Inverting Module
得捷: IC GATE DRVR LOW-SIDE MODULE
立创商城: 低边 IGBT MOSFET
上升/下降时间 100ns, 80ns
电源电压 0V ~ 16V
安装方式 Through Hole
封装 DIP
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准
含铅标准 无铅
数据手册