70P3519S166BCG8概述
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 9Mb（256K x 36） 并联 166 MHz 3.6 ns 256-CABGA（17x17）
得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
70P3519S166BCG8中文资料参数规格
其他
湿气敏感性等级 MSL 4（72 小时）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Renesas Electronics America Inc
系列 -
包装 卷带（TR）
零件状态 停产
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 双端口，同步
存储容量 9Mb（256K x 36）
存储器接口 并联
写周期时间 - 字，页 -
电压 - 供电 1.7V ~ 1.9V
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 256-LBGA
供应商器件封装 256-CABGA（17x17）
时钟频率 166 MHz
访问时间 3.6 ns
基本产品编号 IDT70P3519
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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