
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 9Mb(512K x 18) 并联 133 MHz 4.2 ns 256-CABGA(17x17)
得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
RoHS 状态 不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Renesas Electronics America Inc
系列 -
包装 托盘
产品状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 双端口,同步
存储容量 9Mb(512K x 18)
存储器接口 并联
时钟频率 133 MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 4.2 ns
电压 - 供电 2.4V ~ 2.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 256-LBGA
供应商器件封装 256-CABGA(17x17)
基本产品编号 70T3339
RoHS标准
含铅标准 Contains lead