70T3339S133BCI

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70T3339S133BCI概述

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 9Mb(512K x 18) 并联 133 MHz 4.2 ns 256-CABGA(17x17)


得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA


70T3339S133BCI中文资料参数规格
其他

RoHS 状态 不符合 RoHS 规范

湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)

REACH 状态 非 REACH 产品

ECCN 3A991B2A

HTSUS 8542.32.0041

制造商 Renesas Electronics America Inc

系列 -

包装 托盘

产品状态 在售

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 双端口,同步

存储容量 9Mb(512K x 18)

存储器接口 并联

时钟频率 133 MHz

写周期时间 - 字,页 -

访问时间 4.2 ns

电压 - 供电 2.4V ~ 2.6V

工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 256-LBGA

供应商器件封装 256-CABGA(17x17)

基本产品编号 70T3339

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains lead

数据手册

在线购买70T3339S133BCI
型号: 70T3339S133BCI
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

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