70V07S35PFI

70V07S35PFI概述

IC SRAM 256K PARALLEL 80TQFP

SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 256Kb(32K x 8) 并联 80-TQFP(14x14)


得捷:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 80TQFP


70V07S35PFI中文资料参数规格
其他

RoHS 状态 不符合 RoHS 规范

湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)

ECCN EAR99

HTSUS 8542.32.0041

制造商 Renesas Electronics America Inc

系列 -

包装 托盘

零件状态 停产

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 双端口,异步

存储容量 256Kb(32K x 8)

存储器接口 并联

写周期时间 - 字,页 35ns

访问时间 35 ns

电压 - 供电 3V ~ 3.6V

工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 80-LQFP

供应商器件封装 80-TQFP(14x14)

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: 70V07S35PFI
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:IC SRAM 256K PARALLEL 80TQFP

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