70V3569S6DRI

70V3569S6DRI概述

IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 576Kb(16K x 36) 并联 208-PQFP(28x28)


得捷:
IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP


70V3569S6DRI中文资料参数规格
其他

RoHS 状态 不符合 RoHS 规范

湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)

ECCN 3A991B2B

HTSUS 8542.32.0041

制造商 Renesas Electronics America Inc

系列 -

包装 托盘

零件状态 停产

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 双端口,同步

存储容量 576Kb(16K x 36)

存储器接口 并联

写周期时间 - 字,页 -

访问时间 6 ns

电压 - 供电 3.15V ~ 3.45V

工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 208-BFQFP

供应商器件封装 208-PQFP(28x28)

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买70V3569S6DRI
型号: 70V3569S6DRI
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

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