IC SRAM 1.125M PARALLEL 272PBGA
SRAM - 四端口,同步 存储器 IC 1.125Mb(64K x 18) 并联 200 MHz 3 ns 272-PBGA(27x27)
得捷:
IC SRAM 1.125MBIT PAR 272PBGA
RoHS 状态 不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Renesas Electronics America Inc
系列 -
包装 托盘
Product Status 停产
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 四端口,同步
存储容量 1.125Mb(64K x 18)
存储器接口 并联
时钟频率 200 MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 3 ns
电压 - 供电 3.15V ~ 3.45V
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 272-BBGA
供应商器件封装 272-PBGA(27x27)
基本产品编号 70V5388
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead