IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP
SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 1.125Mb（128K x 9） 并联 7 ns 100-TQFP（14x14）
得捷:
IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP
RoHS 状态 不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 MSL 3（168 小时）
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Renesas Electronics America Inc
系列 -
包装 托盘
Product Status 停产
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 双端口，同步
存储容量 1.125Mb
存储器组织 128K x 9
存储器接口 并联
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 7 ns
电压 - 供电 3V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 100-LQFP
供应商器件封装 100-TQFP（14x14）
基本产品编号 70V9199
RoHS标准