71T75602S166PFGI参数规格_中文资料_数据手册PDF

71T75602S166PFGI概述

静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M

SRAM - Synchronous, SDR ZBT Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 166MHz 3.5ns 100-TQFP 14x20

得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

贸泽:
静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M

安富利:
2.5V 512K X 36 ZBT Synchronous 2.5V I/O PipeLine SRAM

Verical:
SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 3.5ns 100-Pin TQFP

71T75602S166PFGI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 3.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.375V ~ 2.625V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 TQFP-100

外形尺寸

长度 20 mm

宽度 14 mm

高度 1.4 mm

封装 TQFP-100

厚度 1.40 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买71T75602S166PFGI

型号： 71T75602S166PFGI

制造商： Integrated Device Technology 艾迪悌

描述：静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M

替代型号71T75602S166PFGI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
71T75602S166PFGI Integrated Device Technology 艾迪悌	当前型号	当前型号
71T75602S166PFGI8 艾迪悌	完全替代	71T75602S166PFGI和71T75602S166PFGI8的区别
71T75602S166PFG8 艾迪悌	完全替代	71T75602S166PFGI和71T75602S166PFG8的区别
71T75602S166PFG 艾迪悌	类似代替	71T75602S166PFGI和71T75602S166PFG的区别