71T75802S200BG8

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71T75802S200BG8中文资料参数规格
技术参数

电源电压 2.375V ~ 2.625V

封装参数

引脚数 119

封装 PBGA-119

外形尺寸

长度 14.0 mm

宽度 22.0 mm

封装 PBGA-119

厚度 2.15 mm

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: 71T75802S200BG8
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:ZBT SRAM, 1MX18, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22MM, MS-028-AA, BGA-119

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