71T75602S100BGI8

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71T75602S100BGI8中文资料参数规格
技术参数

电源电压 2.375V ~ 2.625V

封装参数

引脚数 119

封装 PBGA-119

外形尺寸

长度 14.0 mm

宽度 22.0 mm

封装 PBGA-119

厚度 2.15 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: 71T75602S100BGI8
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:IC SRAM 18Mbit 100MHz 119BGA

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