71V25761S183PFGI

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71V25761S183PFGI概述

3.3V 128K x 36 Synchronous PipeLined Burst SRAM with 2.5V I/O

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 4.5Mb 128K x 36 Parallel 183MHz 3.3ns 100-TQFP


得捷:
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP


安富利:
3.3V 128K x 36 Synchronous PipeLined Burst SRAM with 2.5V I/O


71V25761S183PFGI中文资料参数规格
封装参数

引脚数 100

封装 TQFP

外形尺寸

封装 TQFP

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买71V25761S183PFGI
型号: 71V25761S183PFGI
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:3.3V 128K x 36 Synchronous PipeLined Burst SRAM with 2.5V I/O

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