71V35761S200PFG

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71V35761S200PFG中文资料参数规格
技术参数

供电电流 360 mA

存取时间 3.1 ns

存取时间Max 3.1 ns

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 TQFP-100

外形尺寸

长度 20.0 mm

宽度 14.0 mm

封装 TQFP-100

厚度 1.40 mm

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买71V35761S200PFG
型号: 71V35761S200PFG
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20MM, GREEN, PLASTIC, TQFP-100
替代型号71V35761S200PFG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

71V35761S200PFG

Integrated Device Technology 艾迪悌

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71V35761S200PFG8

艾迪悌

完全替代

71V35761S200PFG和71V35761S200PFG8的区别

IS61LPS12836A-200TQLI

Integrated Silicon SolutionISSI

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