71V35761S183BG

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71V35761S183BG概述

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 4.5Mb(128K x 36) 并联 183 MHz 3.3 ns 119-PBGA(14x22)


得捷:
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA


71V35761S183BG中文资料参数规格
其他

RoHS 状态 不符合 RoHS 规范

湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)

REACH 状态 非 REACH 产品

ECCN 3A991B2A

HTSUS 8542.32.0041

制造商 Renesas Electronics America Inc

系列 -

包装 托盘

零件状态 停产

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 同步,SDR

存储容量 4.5Mb(128K x 36)

存储器接口 并联

时钟频率 183 MHz

写周期时间 - 字,页 -

访问时间 3.3 ns

电压 - 供电 3.135V ~ 3.465V

工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 119-BGA

供应商器件封装 119-PBGA(14x22)

基本产品编号 71V35761S

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买71V35761S183BG
型号: 71V35761S183BG
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

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