
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 4.5Mb(128K x 36) 并联 183 MHz 3.3 ns 119-PBGA(14x22)
得捷:
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
RoHS 状态 不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Renesas Electronics America Inc
系列 -
包装 托盘
零件状态 停产
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 同步,SDR
存储容量 4.5Mb(128K x 36)
存储器接口 并联
时钟频率 183 MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 3.3 ns
电压 - 供电 3.135V ~ 3.465V
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 119-BGA
供应商器件封装 119-PBGA(14x22)
基本产品编号 71V35761S
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead