71V416S10PHGI概述
IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb（256K x 16） 并联 10 ns 44-TSOP II
欧时:
256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
71V416S10PHGI中文资料参数规格
其他
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 MSL 3（168 小时）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Renesas Electronics America Inc
系列 -
包装 管件
产品状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 4Mb（256K x 16）
存储器接口 并联
写周期时间 - 字，页 10ns
访问时间 10 ns
电压 - 供电 3V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装 44-TSOP II
基本产品编号 71V416
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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