71V416S12BEI

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71V416S12BEI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

存取时间 12 ns

存取时间Max 12 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 CABGA-48

外形尺寸

长度 9 mm

宽度 9 mm

高度 1.2 mm

封装 CABGA-48

厚度 1.20 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买71V416S12BEI
型号: 71V416S12BEI
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器
替代型号71V416S12BEI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

71V416S12BEI

Integrated Device Technology 艾迪悌

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71V416S12BEI8

艾迪悌

完全替代

71V416S12BEI和71V416S12BEI8的区别

IDT71V416S12BEI

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