71V416S12BEI概述
IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA
SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb（256K x 16） 并联 48-CABGA（9x9）
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BEI中文资料参数规格
其他
RoHS 状态 不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 MSL 4（72 小时）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Renesas Electronics America Inc
系列 -
包装 托盘
产品状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 4Mb（256K x 16）
存储器接口 并联
写周期时间 - 字，页 12ns
访问时间 12 ns
电压 - 供电 3V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 48-TFBGA
供应商器件封装 48-CABGA（9x9）
基本产品编号 71V416
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
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