
IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 9Mb(256K x 36) 并联 165-CABGA(13x15)
得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Renesas Electronics America Inc
系列 -
包装 托盘
产品状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 同步,SDR
存储容量 9Mb(256K x 36)
存储器接口 并联
时钟频率 133 MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 4.2 ns
电压 - 供电 3.135V ~ 3.465V
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 165-TBGA
供应商器件封装 165-CABGA(13x15)
基本产品编号 71V67603
RoHS标准
含铅标准 Lead Free