71V67603S133BQG

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71V67603S133BQG概述

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 9Mb(256K x 36) 并联 165-CABGA(13x15)


得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA


71V67603S133BQG中文资料参数规格
其他

RoHS 状态 符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)

REACH 状态 非 REACH 产品

ECCN 3A991B2A

HTSUS 8542.32.0041

制造商 Renesas Electronics America Inc

系列 -

包装 托盘

产品状态 在售

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 同步,SDR

存储容量 9Mb(256K x 36)

存储器接口 并联

时钟频率 133 MHz

写周期时间 - 字,页 -

访问时间 4.2 ns

电压 - 供电 3.135V ~ 3.465V

工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 165-TBGA

供应商器件封装 165-CABGA(13x15)

基本产品编号 71V67603

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买71V67603S133BQG
型号: 71V67603S133BQG
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

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