71V67703S85BG8

71V67703S85BG8图片1
71V67703S85BG8概述

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 9Mb(256K x 36) 并联 87 MHz 8.5 ns 119-PBGA(14x22)


得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA


71V67703S85BG8中文资料参数规格
其他

RoHS 状态 不符合 RoHS 规范

湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)

REACH 状态 非 REACH 产品

ECCN 3A991B2A

HTSUS 8542.32.0041

制造商 Renesas Electronics America Inc

系列 -

包装 卷带(TR)

零件状态 在售

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 同步,SDR

存储容量 9Mb(256K x 36)

存储器接口 并联

写周期时间 - 字,页 -

电压 - 供电 3.135V ~ 3.465V

工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 119-BGA

供应商器件封装 119-PBGA(14x22)

时钟频率 87 MHz

访问时间 8.5 ns

基本产品编号 71V67703

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买71V67703S85BG8
型号: 71V67703S85BG8
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司