2SD1801T

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2SD1801T概述

2SD1801T NPN三极管 60V 2A 150MHz 200~400 150mV/0.15V TO-252/DPAK marking/标记 D1801 高电流开关

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200~400 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High Current Switching Applications Applications · strobes ,relay drivers, voltage drivers,lamp drivers Features
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large current capacity and wide ASO * Low collector to emitter saturation voltage VCEsat * fast switch speed * adoption of FBET,MBIT processes 描述与应用| PNP/ NPN平面外延硅 高电流开关应用 应用  ·闪光灯,继电器驱动电压驱动器,灯驱动器 特点 *大电流容量,广ASO *低集电极到发射极饱和电压VCE(SAT) *开关速度快 *采用的FBET,MBIT进程
2SD1801T中文资料参数规格
封装参数

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO 60V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO 50V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC 2A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 150MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 200~400

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 150mV/0.15V

耗散功率PcPower Dissipation 800mW/0.8W

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数据手册

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型号: 2SD1801T
制造商: Sanyo Semiconductor 三洋
描述:2SD1801T NPN三极管 60V 2A 150MHz 200~400 150mV/0.15V TO-252/DPAK marking/标记 D1801 高电流开关
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